LaAlO3 ਸਬਸਟਰੇਟ
ਵਰਣਨ
LaAlO3ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਉਦਯੋਗਿਕ, ਵੱਡੇ-ਆਕਾਰ ਦੇ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਸੁਪਰਕੰਡਕਟਿੰਗ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ।Czochralski ਵਿਧੀ ਨਾਲ ਇਸਦਾ ਵਾਧਾ, ਵਿਆਸ ਵਿੱਚ 2 ਇੰਚ ਅਤੇ ਵੱਡਾ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਇਹ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਸੁਪਰਕੰਡਕਟਿੰਗ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਸੁਪਰਕੰਡਕਟਿੰਗ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫਿਲਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਲੰਬੀ ਦੂਰੀ ਦੇ ਸੰਚਾਰ ਆਦਿ) ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ।
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | M6 (ਆਮ ਤਾਪਮਾਨ) | M3 (> 435℃) |
| ਯੂਨਿਟ ਸੈੱਲ ਸਥਿਰ | M6 a=5.357A c=13.22 A | M3 a = 3.821 ਏ |
| ਪਿਘਲਣ ਵਾਲਾ ਬਿੰਦੂ (℃) | 2080 | |
| ਘਣਤਾ (g/cm3) | 6.52 | |
| ਕਠੋਰਤਾ (Mho) | 6-6.5 | |
| ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ | 9.4x10-6/℃ | |
| ਡਾਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰਾਂਕ | ε = 21 | |
| ਸੈਕੈਂਟ ਨੁਕਸਾਨ (10GHz) | 3×10-4@300k,～0.6×10-4@77k | |
| ਰੰਗ ਅਤੇ ਦਿੱਖ | ਐਨੀਲ ਕਰਨ ਲਈ ਅਤੇ ਹਾਲਾਤ ਭੂਰੇ ਤੋਂ ਭੂਰੇ ਤੱਕ ਵੱਖਰੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ | |
| ਰਸਾਇਣਕ ਸਥਿਰਤਾ | ਕਮਰੇ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਖਣਿਜਾਂ ਵਿੱਚ ਘੁਲਣਸ਼ੀਲ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਘੁਲਣਸ਼ੀਲ h3po4 ਵਿੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 150 ℃ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ | |
| ਗੁਣ | ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਡਿਵਾਈਸ ਲਈ | |
| ਵਿਕਾਸ ਵਿਧੀ | Czochralski ਵਿਧੀ | |
| ਆਕਾਰ | 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, | |
| Ф15,Ф20，Ф1″,Ф2″,Ф2.6″ | ||
| ਮੋਟਾਈ | 0.5mm, 1.0mm | |
| ਪਾਲਿਸ਼ ਕਰਨਾ | ਸਿੰਗਲ ਜਾਂ ਡਬਲ | |
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਥਿਤੀ | ＜100＞＜110＞＜111＞ | |
| ਰੀਡਾਇਰੈਕਸ਼ਨ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | ±0.5° | |
| ਕਿਨਾਰੇ ਨੂੰ ਰੀਡਾਇਰੈਕਟ ਕਰੋ | 2° (1° ਵਿੱਚ ਵਿਸ਼ੇਸ਼) | |
| ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਦਾ ਕੋਣ | ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਸਥਿਤੀ ਉਪਲਬਧ ਹਨ | |
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | |
| ਪੈਕ | 100 ਸਾਫ਼ ਬੈਗ, 1000 ਬਿਲਕੁਲ ਸਾਫ਼ ਬੈਗ | |
ਘੱਟ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਕੰਸਟੈਂਟ ਦਾ ਫਾਇਦਾ
ਸਿਗਨਲ ਵਿਗਾੜ ਨੂੰ ਘਟਾਓ: ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਰਕਟਾਂ ਅਤੇ ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ, ਘੱਟ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰਤਾ ਸਿਗਨਲ ਵਿਗਾੜ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਬਿਜਲਈ ਸਿਗਨਲਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸਿਗਨਲ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਦੇਰੀ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਘੱਟ-k ਸਮੱਗਰੀ ਇਹਨਾਂ ਪ੍ਰਭਾਵਾਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਵਧੇਰੇ ਸਹੀ ਸਿਗਨਲ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਸਮੁੱਚੇ ਸਿਸਟਮ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦੀ ਹੈ।
ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰੋ: ਡਾਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨੂੰ ਅਕਸਰ ਸੰਚਾਲਕ ਹਿੱਸਿਆਂ ਨੂੰ ਅਲੱਗ ਕਰਨ ਅਤੇ ਲੀਕੇਜ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਇੰਸੂਲੇਟਰਾਂ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਘੱਟ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰ ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਲ ਲੱਗਦੇ ਕੰਡਕਟਰਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕ ਕਪਲਿੰਗ ਲਈ ਗੁਆਚਣ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਕੇ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਇਸ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਊਰਜਾ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਧਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਬਿਜਲੀ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਦੀ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਘਟਦੀ ਹੈ।
