Ge ਘਟਾਓਣਾ
ਵਰਣਨ
ਜੀਈ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਅਤੇ ਆਈਸੀ ਉਦਯੋਗ ਲਈ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ।
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ
| ਵਿਕਾਸ ਵਿਧੀ | Czochralski ਵਿਧੀ | ||
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | M3 | ||
| ਯੂਨਿਟ ਸੈੱਲ ਸਥਿਰ | a=5.65754 Å | ||
| ਘਣਤਾ (g/cm3) | 5.323 | ||
| ਪਿਘਲਣ ਵਾਲਾ ਬਿੰਦੂ (℃) | 937.4 | ||
| ਡੋਪਡ ਸਮੱਗਰੀ | ਕੋਈ ਡੋਪਡ ਨਹੀਂ | Sb-ਡੋਪਡ | ਵਿੱਚ / Ga -doped |
| ਟਾਈਪ ਕਰੋ | / | N | P |
| ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ | 35Ωcm | 0.05Ωcm | 0.05~0.1Ωcm |
| ਈ.ਪੀ.ਡੀ | ~4×103∕cm2 | ~4×103∕cm2 | ~4×103∕cm2 |
| ਆਕਾਰ | 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, | ||
| dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm | |||
| ਮੋਟਾਈ | 0.5mm, 1.0mm | ||
| ਪਾਲਿਸ਼ ਕਰਨਾ | ਸਿੰਗਲ ਜਾਂ ਡਬਲ | ||
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਥਿਤੀ | <100>, <110>, <111>, ±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
ਜੀ ਸਬਸਟਰੇਟ ਪਰਿਭਾਸ਼ਾ
ਜੀਈ ਸਬਸਟਰੇਟ ਤੱਤ ਜੈਰਮੇਨੀਅਮ (ਜੀ) ਦੇ ਬਣੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਵਿਲੱਖਣ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਾਲਾ ਇੱਕ ਅਰਧ-ਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ ਜੋ ਇਸਨੂੰ ਕਈ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
Ge substrates ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਖਾਸ ਕਰਕੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ।ਇਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਅਤੇ ਦੂਜੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ (Si) ਦੀਆਂ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਲਈ ਅਧਾਰ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ, ਫੋਟੋਡਿਟੈਕਟਰਾਂ, ਅਤੇ ਸੂਰਜੀ ਸੈੱਲਾਂ ਵਰਗੀਆਂ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਜੀਈ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਜਰਮੇਨਿਅਮ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਫੋਟੋਨਿਕਸ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਵਿੱਚ ਵੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿੱਥੇ ਇਸਨੂੰ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ (IR) ਡਿਟੈਕਟਰਾਂ ਅਤੇ ਲੈਂਸਾਂ ਨੂੰ ਵਧਣ ਲਈ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਜੀਈ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਵਿੱਚ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਮੱਧ-ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਸੀਮਾ ਅਤੇ ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ।
ਜੀਈ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਕੋਲ ਸਿਲੀਕਾਨ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀ ਜਾਲੀ ਬਣਤਰ ਹੈ, ਜੋ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਸੀ-ਅਧਾਰਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਨਾਲ ਏਕੀਕਰਣ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਇਹ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਅਤੇ ਉੱਨਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਅਤੇ ਫੋਟੋਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦੀ ਹੈ।
ਸੰਖੇਪ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਇੱਕ Ge ਸਬਸਟਰੇਟ ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਦੇ ਬਣੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਇਹ ਹੋਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਇੱਕ ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ, ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਅਤੇ ਫੋਟੋਨਿਕਸ ਦੇ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
